TRS8E65C,S1Q list
specifikace TRS8E65C,S1Q
Part Number :
TRS8E65C,S1Q
Výrobce :
Toshiba Semiconductor and Storage
Popis :
DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220-2L
Série :
-
Stav části :
Active
Typ diod :
Silicon Carbide Schottky
Napětí - DC reverzní (Vr) (Max) :
650V
Proud - průměrný rektifikovaný (Io) :
8A (DC)
Napětí - vpřed (Vf) (Max) @ If :
1.7V @ 8A
Rychlost :
No Recovery Time > 500mA (Io)
Doba zpětného obnovení (trr) :
0ns
Proud - reverzní únik @ Vr :
90µA @ 650V
Kapacita @ Vr, F :
44pF @ 650V, 1MHz
Typ montáže :
Through Hole
Balíček / Případ :
TO-220-2
Balík zařízení pro dodavatele :
TO-220-2L
Provozní teplota - křižovatka :
175°C (Max)
Hmotnost :
-
Stav :
Nové a originální
Záruka kvality :
365 dní záruka
Sklad Resource :
Franšízovaná Distributor / Výrobce Direct
Země původu :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Typové označení
Vnitřní Part Number
ABC-TRS8E65C,S1Q
Stručný popis
DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220-2L
Stav RoHS
Bezolovnaté / V souladu s normou RoHS
Čas doručení
1-2 dny
dostupné množství
99976 Kousky
referenční cena
Naše cena
- (prosím, kontaktujte nás za lepší cenu: [email protected])
- ABC Semiconductor mají TRS8E65C,S1Q na skladě k prodeji.
- Lodní možnosti a lodní čas:
- DHL: 2-3 days.
- FEDEX: 2-3 days.
- UPS: 2-4 days.
- TNT: 3-5 days.
- EMS: 5-8 days.
- Normal Post: 10-15 days.
- Možnosti platby:
- Paypal (Credit Card)
- Bank Transfer (Wire Transfer)
- Western Union
- MoneyGram
Související produkty pro TRS8E65C,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage
| Part Number | Značka | Popis | Koupit |
|---|---|---|---|
|
Lattice Semiconductor Corporation |
IC CPLD 512MC 3.5NS 256FTBGA |
||
|
Xilinx Inc. |
IC CPLD 384MC 9NS 208QFP |
||
|
Xilinx Inc. |
IC CPLD 384MC 7.1NS 256FBGA |
||
|
Intel |
IC CPLD 512MC 10NS 256FBGA |
||
|
Xilinx Inc. |
IC CPLD 512MC 10.8NS 208QFP |
||
|
Intel |
IC CPLD 512MC 7.5NS 208QFP |
||
|
Intel |
IC CPLD 64MC 4.5NS 100FBGA |
||
|
Xilinx Inc. |
IC CPLD 512MC 9NS 208QFP |
||
|
Xilinx Inc. |
IC CPLD 384MC 9NS 144QFP |
||
|
Intel |
IC CPLD 512MC 5.5NS 256FBGA |